Infineon и Resonac расширяют сотрудничество в области карбидокремниевых (SiC) материалов для силовых полупроводников

May 27, 2024

Infineon Technologies расширяет сотрудничество с поставщиком карбида кремния (SiC) Resonac (ранее Show Diko). Согласно новому соглашению, Resonac будет поставлять Infineon материалы SiC для производства полупроводников SiC, покрывая двузначную долю прогнозируемого спроса на следующее десятилетие.

Хотя на начальном этапе основное внимание уделяется поставкам материалов SiC диаметром 6 дюймов (150 мм), Resonac также будет поддерживать переход Infineon на пластины диаметром 8 дюймов (200 мм) в последующие годы действия соглашения.

Эпитаксиальные пластины SiC (слева направо, диаметром 150 мм и 200 мм)

Resonac начала поставки образцов эпитаксиальных пластин SiC (эпитаксиальные пластины SiC) диаметром 200 мм (8 дюймов) в сентябре 2022 года.

Силовые полупроводники SiC снижают потери мощности и выделяют меньше тепла, чем обычные силовые полупроводники на основе кремниевых пластин, тем самым экономя энергию. В результате рынок силовых полупроводников SiC быстро расширяется, особенно в области силовых устройств для использования в электромобилях и производстве электроэнергии на основе возобновляемых источников энергии.

На характеристики силового полупроводника SiC во многом влияет качество эпи-подложки SiC. Таким образом, производителю SiC эпи-подложки необходимо сделать так, чтобы эпи-подложка имела низкую плотность поверхностных дефектов и стабильное качество. В настоящее время силовые полупроводники SiC производятся в основном из эпи-пластин SiC диаметром 150 мм (6 дюймов). Чем больше становится диаметр эпи-подложки SiC, тем больше частей SiC-силовых полупроводниковых чипов смогут производить производители силовых устройств. Поэтому производители устройств рассчитывают, что они смогут повысить производительность и снизить стоимость устройств за счет внедрения эпи-подложек SiC большего диаметра, чем обычные. Resonac ускорила разработку 200-мм эпи-подложек SiC с 2021 года.

Кроме того, Resonac ускорит совершенствование технологий и качества продукции эпитаксиальных пластин SiC за счет усиления совместных разработок с Infineon.

В рамках сотрудничества Infineon предоставит Resonac интеллектуальную собственность, связанную с технологиями материалов SiC.

В настоящее время Infineon расширяет свои мощности по производству SiC, чтобы к концу десятилетия достичь доли рынка в 30%. К 2027 году производственные мощности Infineon по производству карбида кремния увеличатся в десять раз. В 2024 году планируется начать производство нового завода в Кулиме. Сегодня Infineon уже поставляет полупроводники SiC более чем 3600 клиентам по всему миру.

Опубликовано 16 января 2023 г. в разделах Электрооборудование (Аккумуляторы), Обзор рынка, Силовая электроника | Постоянная ссылка | Комментарии (0)